9. Crescimento de monocristais de LiNbO3 puros e dopados pelo método de Czochraslki com um campo elétrico aplicado durante o processo de crescimento – Análise da segregação de dopantes

Resumo

A descrição mais usual da segregação de dopantes em crescimento de cristais, é através do comportamento do coeficiente de segregação efetivo, baseado na teoria de Burton, Prim and Slichter, que considera como relevantes apenas os parâmetros normais de crescimento. Entretanto em alguns trabalhos, tem sido observado que o coeficiente de segregação efetivo, e conseqüentemente a razão de incorporação de dopantes e/ou outros componentes também é função de um campo elétrico que se aplica no processo de crescimento (campo elétrico aplicado diretamente para obtenção de orientação de domínios ferroelétricos). Neste trabalho estes resultados são explicados através da mudança da velocidade de crescimento usando resultados teóricos e experimentais em processos de crescimento de LiNbO3 e de LiNbO3:Cr+3 pelo método de Czochralski com um campo elétrico aplicado durante o processo sendo que os cristais obtidos são analisados por Espectrometria de Absorção Atômica (EAS).